abek sensors推出的LIN系列LVDT位移传感器专为测量极高温和极低温的位移测量而设计，LIN系列传感器可以从-200~600℃中运行。
LIN系列位移传感器还具有较高耐辐射性，可以承受伽马射线积分量1011Rad或109Gy,可暴露于1x1019NVT中子通量中。

LIN系列高温耐辐射传感器导线采用不锈钢护套保护，这些电缆可以端接到密封的接头上或连接器（如果需要）。
由于大多数无机绝缘材料都具有吸湿性，因此整个线圈组件均密封在不锈钢内，这样可以防止水份积聚、绝缘泄漏，并保护线圈不受周围有害介质的影响同时允许磁芯自由移动。

某些应用需要同时抵抗伽玛射线，中子射线和高辐射的组合温度。在考虑详细的规格和对特定应用的适用性之前，请先回顾和遵循以下工作定义和等效内容。

中子通量
积分中子通量（也称为中子注量）是随时间积分的中子通量。
中子通量：所有中子每单位时间和体积所移动的距离
中子通量的公式：中子数/体积x距离/时间=中子密度x速度
中子密度：每单位体积的中子数（n）

中子通量的公式：
中子密度x速度x时间=中子密度x距离

中子通量单位：
n/m ³ x m = n/m ² (n: 中子数; m: 米)

NVT (n/cm ² )

单位换算: 1 NVT = 10 ⁴ n/m ²

伽玛射线累积剂量（TID）辐射
电离辐射的吸收剂量是每质量单位沉积的能量。
单位：rad（辐射吸收剂量）：每千克物质将沉积0.01焦耳能量的辐射
Gy（灰色）：每千克沉积1焦耳的能量的辐射（SI单位）
单位换算：1 Gy = 100 rad
所有辐射都会产生一定的损害，因此，问题就变成了辐射以及辐射可以在保证其操作规范的同时保持性能。因此这些参数仅是估计。当辐射能量落在物体上时，来自不同来源的等量能量可能会导致取决于辐射形式（即伽马射线，中子等）的破坏程度不同。

这些不同来源也可能导致不同类型的损害。量化这些差异的一种方法是确定一个单元可以承受的辐射速率，而不会造成瞬时和不可接受的损坏。另一种方法是确定在“磨损”损坏之前可以吸收的积分通量。必须牢记通量率和积分通量之间的区别。
中子注量与伽马射线之间没有直接关系。如果我们假设能量相等，由于来自不同来源的耗散，单元吸收的能量将随其吸收截面而变化。要是我们尝试使损害平均化，由于损害的质量差异，由各种形式辐射引起的不确定性更大。